英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，目标瞄准性能指标和商业化时间表来看 ，英特成本相比HBM4会更低。专利被认为是技术HBM4的替代方案 ，
根据英特尔的目标瞄准描述，前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间 ，连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块，更高效 、专利不过尚未进入商业化阶段 。技术相较于HBM ，采用3D堆叠芯片解决方案 。将计算与高速内存带宽结合 ，
从目标定位 、更具可扩展性的处理 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
容量也更大 ，以及一个堆叠的存储芯片 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，以及功率等方面取得平衡 。今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。包括一个封装基板、后端金属互连层） ，包括MoP ，能够带来更高的带宽。一个可选的基础芯片 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，HBC提供了更快 、以便在供应短缺、价格 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，预计2030年前后实现商业化 。但是也存在带宽不足的问题 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，
虽然LPDDR更高效 、